IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中文称为绝缘栅双极型晶体管,是一种功率半导体器件,广泛应用于工业制造、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源汽车、可再生能源、智能电网等战略性新兴产业领域。这些行业对于器件的使用寿命和可靠性具有极高的要求。
IGBT热阻特性的研究对于延长器件使用寿命,提高器件可靠性具有重要的现实意义。目前测试IGBT热阻参数的方法多为热敏参数法,该方法的优势在于操作简单方便,对硬件要求低。热敏参数法需要测量器件的壳温,而IGBT器件封装尺寸较大,测量过程中的误差因素多,导致壳温的准确性较差,热阻结果误差大且测试可重复性差。
与传统的热敏参数法相比,JESD51-14标准规定的结壳热阻瞬态双界面测试法具有更高的准确性和重现性,而T3Ster是目前全球唯一满足此测试标准的仪器。通过使用T3Ster对IGBT器件进行测试,可以获得器件的结温瞬态变化过程曲线,得到稳态的结壳热阻数据,还可以通过器件结构函数分析一维散热路径上各层材料的热阻值。
贝思科尔近期推出了“IGBT器件结壳热阻测试”视频案例。本视频重点介绍了MicReD T3Ster测试原理、IGBT热特性测试操作步骤以及测试数据处理等内容。通过对测试过程的详细介绍,让大家系统了解通过T3Ster获取IGBT的结壳热阻以及结构函数的步骤流程。
“IGBT器件结壳热阻测试”视频
贝思科尔公司与北京大学深圳SOC重点实验室联合建设的半导体热可靠性联合实验室成立于2019年10月,实验室位于深圳市南山区。
实验室配置:T3Ster热阻测试仪、DynTIM界面材料导热系数测试仪、Julabo温控循环仪等硬件设备,以及Flotherm、FloEFD、Flomaster、HyperLynx、Star CCM+等仿真软件。
实验室宗旨:为芯片半导体、LED、OLED、MOSFET、IGBT、IPM等领域广大客户提供测试、建模(模型校准)与仿真咨询服务。
面向行业:新能源/汽车/轨道交通、家电/通信;半导体IC、功率器件、IGBT、IPM、光电集成、OLED等。
我们的服务:
1 软硬件产品销售及技术支持服务;
2 热流仿真分析及设计顾问服务;
3 半导体热阻,器件功率循环测试服务。
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