碳化硅器件功率循环测试解决方案
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一...
T3Ster结构函数应用-双界面分离法测试RθJC(θJC)
半导体器件的结到壳之间的热阻RθJC(θJC)是衡量器件从芯片到封装表面外壳的热扩散能力的参数,是半导体器件最重要的热性...
IGBT 模块寿命评估实验依据-Power Cycling Test
01IGBT模块概述随着高速动车组列车、电动汽车及其充电桩、5G 通信设备、交直流混合配电网、柔性直流输电、新能源发电装...
芯片封装建模工具-Simcenter Flotherm Package Creator
利用Simcenter Flotherm Package Creator芯片封装工具可以帮助你在几分钟内创建出一个常用的...