碳化硅器件功率循环测试解决方案
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度...
T3Ster结构函数应用-双界面分离法测试RθJC(θJC)
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IGBT 模块寿命评估实验依据-Power Cycling Test
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芯片封装建模工具-Simcenter Flotherm Package Creator
利用Simcenter Flotherm Package Creator芯片封装工具可以帮助你在几分钟内创建出一个常用的IC封装详细模型,P...