功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性重要的实验，尤其是 SiC MOSFET 功率器件的快速发展，是近几年的研究热点。与其他可靠性测试不同的是，功率循环测试原理虽然简单，但测试技术、测试方法和数据处理却涉及到半导体物理、电磁学、传热学、结构力学和信号分析等多学科交叉，处理不当将得到错误的结论。所以功率循环测试设备的技术性、准确性、稳定性尤为重要。

测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点，电气测量噪声和测量延时影响功率循环测试中结温的准确性，数据采集点则是影响器件的失效模式判定和寿命。测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和宽禁带器件 SiC MOSFET 的相关测试方法，其中电流激励方法会影响器件的失效机理和寿命，需要特别关注。数据处理部分则是从可靠性数理统计角度出发，探究了测试样本数量和对测试结果的修正， 以得到准确的测试结果。本文可以为功率循环测试技术和设备的发展奠定理论和方法基础，为功率循环测试和数据分析提供指导。

深圳贝思科尔十多年来专注功率循环热可靠测试领域。凭借强大的技术服务能力和实验室资源，赢得了业界客户广泛认同与多年稳定合作。其功率循环测试设备既可以对IGBT在内的电力电子器件进行功率热循环测试，还可以进行热特性测量。其系列设备设计采用3通道的架构，可以同时并行输出3路加热电流。从而可以针对多个器件进行测试，扩展了测试设备的能力、利用率和生产效率。

深圳贝思科尔功率循环测试设备已成为ZTE、三星、TCL、OPPO、中科院、北京大学等各大高新企业和高校的长期使用设备。将为国内的电子半导体行业发展做出贡献！